Cúpla lá ó shin, d’eisigh Teicneolaíocht Optoelectronics na hOstaire (Hangzhou) Co., Ltd foshraith criostail aonair nítríde alúmanaim 2-orlach (Φ50.8 mm), agus chuir siad tús le olltáirgeadh bhaisc bheaga.
Foshraitheanna criostail aonair AlN 2-orlach ardchaighdeáin 2-orlach UTI-AlN-050B, agus méideanna eile foshraitheanna criostail aonair AlN
Tuairiscítear gur glúin nua d’ábhair ard-deireadh leathsheoltóra bandgap ultra-leathan é nítríd alúmanaim (AlN), le leithead banda toirmiscthe mór (suas le 6.2 eV), seoltacht ard theirmeach, neart páirce miondealaithe ard, ardchobhsaíocht theirmeach, agus trédhearcacht ultraivialait domhain maith. Buntáistí feidhmíochta den scoth mar ró-mheas, ach mar gheall ar an deacracht ard a bhaineann le fás criostail aonair AlN agus dálaí crua, tá sé i bhfad níos deacra é a ullmhú ná SiC, GaN, srl.
Cé gur úsáideadh criostail aonair AlN beagmhéide go forleathan i bhforbairt feistí, ní féidir leis an méid agus an t-aschur wafer teoranta freastal ar riachtanais na déantúsaíochta líne táirgeachta ar mhórscála i réimsí gaolmhara. Ba é seo an príomhshrian i gcónaí ar chur i bhfeidhm foshraitheanna criostail aonair AlN ar scála mór. Ceann de na scrogaill.
An uair seo, tá an tsubstráit criostail aonair 2-orlach nítríde alúmanaim ag teacht mar a bhí sceidealta. Táthar ag súil go n-úsáidfear soilse ultraivialait domhain ardchumhachta, soilse ultraivialait, brathadóirí ultraivialait, rabhadh ultraivialait agus gairis leictreonacha ardchumhachta, ardmhinicíochta, ardteochta agus réimsí eile i sceallóga ardchumhachta. Na hábhair agus na réitigh foshraithe is fearr.
